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CuInP2Se6晶體
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331081 | 大于10平方毫米 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331082 | 大于20平方毫米 | 0 | ￥0 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻:
1, Vysochanskii, Yu M., et al. "Dielectric measurement study of lamellar CuInP2Se6: successive transitions towards a ferroelectric state via an incommensurate phase?." Solid state communications 115.1 (2000): 13-17. 2,Banys, J., et al. "Dielectric properties of ferroelectrics CuInP2Se6 and CuCrP2S6." Ferroelectrics 257.1 (2001): 163-168. 3, Liubachko, V., et al. "Anisotropic thermal properties and ferroelectric phase transitions in layered CuInP2S6 and CuInP2Se6 crystals." Journal of Physics and Chemistry of Solids 111 (2017): 324-327. |
| 性狀 | 材料名稱
Name CuInP2Se6 性質分類 Electrical properties 拓撲材料，半導體，紅外材料，鐵磁性材料 禁帶寬度 Bangap 0.311 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事項 Notice 晶體穩定，不需要特殊保存 Stable |
| 貯存 |
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