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Sb2Te2Se晶體
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Cas號：
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331671 | 大于10毫克 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331672 | 大于25毫克 | 0 | ￥5120 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考Sb2Te3性質
Kanagaraj, M., et al. "Structural, magnetotransport and Hall coefficient studies in ternary Bi2Te2Se, Sb2Te2Se and Bi2Te2S tetradymite topological insulating compounds." Journal of Alloys and Compounds 794 (2019): 195-202. Govindhan, Gopi, et al. "Studies on Shubnikov-de Hass oscillations in p-Sb2Te2Se topological insulator." Materials Research Bulletin 124 (2020): 110733. Qu, Hengze, et al. "Ballistic Quantum Transport of Sub‐10 nm 2D Sb2Te2Se Transistors." Advanced Electronic Materials 5.12 (2019): 1900813. |
| 性狀 | 材料名稱
Name Sb2Te2Se 性質分類 Electrical properties 紅外半導體, 拓撲絕緣體 IR Semiconductor，TI 禁帶寬度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 易 Easy 保存注意事項 Notice 晶體穩定，不需要特殊保存 Stable |
| 貯存 |
滬公網安備 31012002003054號