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碲化銻 CVD Sb2Te3薄膜
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| 產品參數 | Sb2Te3 拓撲絕緣體薄膜。
材料 Sb2Te3薄膜 制造方法 CVD沉積 基底 沉積在藍寶石和云母上，其他基底可以轉移 特性 拓撲絕緣體薄膜，易氧化 厚度選擇 最薄約5nm，最后50nm左右 注意事項 易氧化 參考文獻 1，Kitamura, Masahito, et al. "Chemical Vapor Deposition GeTe/Sb2Te3 Super-Lattice Phase Change Memory." Int. Conf. Solid State Devices Mater. Fukuoka. 2013. 2，Sotor, J., et al. "Mode-locked erbium-doped fiber laser based on evanescent field interaction with Sb2Te3 topological insulator." Applied Physics Letters 104.25 (2014): 251112. |
| 性狀 | 基底：
SiO2/Si基底 石英基底 藍寶石基底 其他基底 |
| 貯存 |
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