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HfTe2 碲化鉿
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081332722-1g | 超高純 | 0 | ￥2000 | |||
| 13081332721-1g | 高純 | 0 | ￥1000 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 |
參考文獻： 1， Klipstein, P. C., et al. "Electronic properties of HfTe2." Journal of Physics C: Solid State Physics 19.25 (1986): 4953. 2，Mangelsen, S., et al. "Large nonsaturating magnetoresistance and pressure-induced phase transition in the layered semimetal HfTe 2." Physical Review B 96.20 (2017): 205148. 3，Smeggil, J. G., and S. Bartram. "The preparation and x ray characterization of HfTe2? x, x= 0.061." Journal of Solid State Chemistry 5.3 (1972): 391-394. |
| 性狀 | 晶體種類： Semiconductor
純度： >99.999 % 表征方法： EDS，SEM，Raman bandgap： 0 eV |
| 貯存 |
滬公網安備 31012002003054號