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機(jī)械剝離二氧化硅基底單層二硫化鉬
英文名：Mechanical exfoliation MoS2 on sapphire substrate
Cas號(hào)：
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檢測(cè)信息查詢
| 貨號(hào) | 規(guī)格 | 貨期 | 庫(kù)存 | 價(jià)格 | 會(huì)員價(jià) | 訂購(gòu) |
| 1308128094-1盒 | 0 | ￥7700 |
| 別 名 | |
| Cas號(hào) | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產(chǎn)品參數(shù) | 形態(tài)：薄膜
參數(shù) 基底：藍(lán)寶石 基底尺寸：10 mmx10 mm MOS2面積: ＞10 μm2 機(jī)械剝離制備的二硫化鉬，相比較鋰插層制備的單層類石墨烯材料，該類材料具有缺陷少，優(yōu)異的光學(xué)性質(zhì)，可以研究層數(shù)和熒光效應(yīng)，此外，由于保持了原有晶格結(jié)構(gòu)，所以該類材料是制備器件的理想材料。 |
| 性狀 | |
| 貯存 |
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