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HgPSe3晶體
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| 貨號 | 規(guī)格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331211 | 大于10平方毫米 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331212 | 大于25平方毫米 | 0 | ￥5120 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產(chǎn)品參數(shù) | |
| 性狀 | 材料名稱
Name HgPSe3 性質(zhì)分類 Electrical properties 拓?fù)浣^緣體,紅外材料 Topological Insulators 禁帶寬度 Bangap 1.209 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 中 Medium 參考文獻(xiàn) 1，Calareso, C., et al. "Electronic core levels of HgPX 3 chalcogenophosphates." Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 18.2 (2000): 306-311. 2，Wang, Fengmei, et al. "New frontiers on van der Waals layered metal phosphorous trichalcogenides." Advanced Functional Materials 28.37 (2018): 1802151. |
| 貯存 |
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