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In2Se3 硒化銦晶體 α-2H相
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Cas號：
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331251 | 大于10平方毫米 | 0 | ￥1900 | |||
| 13081331252 | 大于25平方毫米 | 0 | ￥2720 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻：
1，Shi, Huanhuan, et al. "Ultrafast Electrochemical Synthesis of Defect‐Free In2Se3 Flakes for Large‐Area Optoelectronics." Advanced Materials (2020): 1907244. 2，Wan, Siyuan, et al. "Nonvolatile Ferroelectric Memory Effect in Ultrathin α‐In2Se3." Advanced Functional Materials 29.20 (2019): 1808606. 3， Zhang, Fan, et al. "Atomic-scale observation of reversible thermally driven phase transformation in 2D In2Se3." ACS nano 13.7 (2019): 8004-8011. |
| 性狀 | 晶體大小： 5~10 mm
晶體種類： Semiconductor，紅外材料 0.99eV 純度： >99.999 % 表征方法： EDS，SEM，Raman 晶體生長方式： CVT 化學氣相傳輸法 |
| 貯存 |
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