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InBi晶體
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Cas號：
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081331291 | 大于10平方毫米 | 0 | ￥3120 | |||
| 13081331292 | 大于25平方毫米 | 0 | ￥5120 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 參考文獻
Degtyareva, V. F., M. Winzenick, and W. B. Holzapfel. "Crystal structure of InBi under pressure up to 75 GPa." Physical Review B 57.9 (1998): 4975. Akg?z, Y. C., J. M. Farley, and G. A. Saunders. "The elastic behaviour of InBi single crystals." Journal of Physics and Chemistry of Solids 34.2 (1973): 141-149. Bhatt, V. P., and C. F. Desai. "Temperature dependence of vickers microhardness and creep of InBi single crystals." Bulletin of Materials Science 4.1 (1982): 23-28. |
| 性狀 | 材料名稱
Name InBi 性質分類 Electrical properties 拓撲絕緣體 Topological Insulators 禁帶寬度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 中 Medium |
| 貯存 |
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