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CVD 二硒化鉬：MoSe2
英文名：
Cas號：
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檢測信息查詢
| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 13081332012 | 玻璃 | 0 | ￥4320 | |||
| 13081332011 | 連續薄膜 | 0 | ￥2720 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
| 分子式 | |
| 分子量 | |
| 產品參數 | 制造方法：
化學氣相沉積法， Chemical Vapor Deposition （CVD） 產品簡介： MoSe2薄膜分為多種： 1） 單層離散分布的孤立晶粒，邊長一般是幾十微米。 2） 由孤立晶粒繼續長大連在一起的單層連續薄膜，上面有多層區域。 3） 基底：MoSe2可選基底較多，其中SiO2/Si基底為直接沉積產品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金屬基底等是通過在SiO2/Si上生長后轉移至客戶所需基底。 應用領域： 光電器件，微電子器件，生物傳感，化學傳感等領域。 包裝及規格 10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圓片，4英寸圓片 或客戶指定的定制尺寸。 凈化抽真空包裝， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。 |
| 性狀 | 基底種類：
SiO2/Si(300nm氧化層） SiO2/Si(其他厚度） 藍寶石（單面拋光） 藍寶石（雙面拋光） 光學石英 柔性PET 硅片 高阻本征硅（>10000ohm.cm）太赫茲專用 SOI PDMS 云母 SrTiO3鈦酸鍶 玻璃 ITO 金膜 銀膜 銅膜 GaAs砷化鎵 TEM銅網 MoSe2形貌： 孤立晶粒 連續薄膜 |
| 貯存 |
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