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GaP晶片
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| 性狀 | 磷化鎵的晶體結構為閃鋅礦型,化學鍵是以共價鍵為主的混合鍵,屬于間接躍遷型半導體。磷化鎵與其他寬帶隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體(如GaAS、 InP)相同,可通過引入深中心使費米能級接近帶隙中部,是LED主要襯底材料之一。
磷化鎵外延材料是在磷化鎵單晶襯底上通過液相外延或汽相外延加擴散生長的方法制得。多用于制造發光二極管。液相外延材料可制造紅色、黃綠色、純綠色光的發光二極管,汽相外延加擴散生長的材料,可制造黃色、黃綠色光的發光二極管。 |
| 貯存 |
- 銻化銦(InSb)晶體基片
- 鄰苯二甲酸二甲氧乙酯 117-82-8
- Ge片
- 銻化鎵(GaSb)
- GaP晶片
- GaAS電池片
- GaASⅢ-Ⅴ族襯底片
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