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GaAS電池片
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| 貨號 | 規(guī)格 | 貨期 | 庫存 | 價(jià)格 | 促銷價(jià) | 訂購 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
| M D L | |
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| 產(chǎn)品參數(shù) | 提供空間用電池和地面電站用電池。
1. 空間用：轉(zhuǎn)換效率η≥30% 2. 地面用：轉(zhuǎn)換效率η≥40% |
| 性狀 | 砷化鎵電池片GaAs屬于III-V族化合物半導(dǎo)體材料，其能隙與太陽光譜的匹配較適合，且能耐高溫。與硅太陽電池相比，GaAs太陽電池具有更好的性能。砷化鎵電池與硅光電池的比較：
光電轉(zhuǎn)化率： 砷化鎵的禁帶較硅為寬，使得它的光譜響應(yīng)性和空間太陽光譜匹配能力較硅好。硅電池的理論效率大概為23%，而單結(jié)的砷化鎵電池理論效率達(dá)到27%，而多結(jié)的砷化鎵電池理論效率更超過50%。實(shí)際應(yīng)用中硅的效率在18%左右，砷化鎵卻能達(dá)到40%。 |
| 貯存 | 耐溫性 常規(guī)上，砷化鎵電池的耐溫性要好于硅光電池，砷化鎵電池在250℃的條件下仍可以正常工作，但是硅光電池在200℃就已經(jīng)無法正常運(yùn)行。 |
- Ge片
- 銻化鎵（GaSb）
- GaP晶片
- GaAS電池片
- GaASⅢ-Ⅴ族襯底片
- 磷化銦InP單晶片
- [Sar1]-血管緊張素 I/II (1-7) 酰胺 126112-22-9
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