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磷化銦InP單晶片
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| 貨號 | 規(guī)格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 促銷價 | 訂購 |
| 別 名 | |
| Cas號 | |
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| 產(chǎn)品參數(shù) | 品種：
類型： 濃度（cm-3）： 遷移率(cm2/V.S)： 電阻率(?.cm)： 位錯密度(cm-2)： Un-InP <3*1016 >1700 ---- <1000 S-InP N 5*1017 >1700 ----- <1000 Zn-InP P 0.6*1018 >50 ------ <1000 Fe-InP N 107~108 >1700 >107 <1000 |
| 性狀 | 規(guī)格：可以做到2英寸、3英寸，正常晶向為、，特殊晶向也可以加工。磷化銦（InP）是一種重要的化合物半導(dǎo)體材料，具有電子極限漂移速度高、耐輻射性好、導(dǎo)熱好的優(yōu)點。
適用于制造高頻、高速、大功率微波器件和集成電路。在固態(tài)發(fā)光、微波通信、光纖通信、太陽能電池、制導(dǎo)/導(dǎo)航、衛(wèi)星等民用和軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用十分廣闊。 |
| 貯存 |
- GaAS電池片
- GaASⅢ-Ⅴ族襯底片
- 磷化銦InP單晶片
- [Sar1]-血管緊張素 I/II (1-7) 酰胺 126112-22-9
- 肽 YY (13-36)（犬、豬、小鼠、大鼠） 86895-09-2
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