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GaASⅢ-Ⅴ族襯底片
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| 貨號 | 規格 | 貨期 | 庫存 | 價格 | 會員價 | 訂購 |
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| Cas號 | |
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| 產品參數 | Parameter
Guaranteed / Actual Values UOM Growth Method: VGF Conduct Type: S-C-P Dopant: GaAs-Zn Diameter: 50.8± 0.4 mm Orientation: (100)± 0.50 OF location/length: EJ [ ]± 0.50/16±1 IF location/length: EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7±1 Ingot CC: Min: 1.4 E19 Max: 1.9 E19 /cm3 Resistivity: Min: N/A Max: N/A ?·cm Mobility: Min: N/A Max: N/A cm2/v.s EPD: Min: 600 Max: 700 / cm2 Thickness: 350±25 μm Surface Finish– front: Polished Surface Finish –back: Etched Epi-Ready: Yes |
| 性狀 | 可以提供EPD<500 、 <300 、<100、＜50 的高質量LD級外延用GaAs ------
專業提供“激光領域” 用高質量 110um厚雙拋GaAs ------ 專業生產定制高質量砷化鎵襯底片GaAs wafer、多晶棒。尺寸 2" 3" 4" 6" ， 晶向（100）（111），類型：N- type 摻Si， P- type 摻Zn，半絕緣Undope 。 |
| 貯存 |
- 銻化鎵（GaSb）
- GaP晶片
- GaAS電池片
- GaASⅢ-Ⅴ族襯底片
- 磷化銦InP單晶片
- [Sar1]-血管緊張素 I/II (1-7) 酰胺 126112-22-9
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